半導(dǎo)體是一種特殊的材料，其電學(xué)性質(zhì)介于導(dǎo)體和絕緣體之間。
一、物理特性
導(dǎo)電性特點(diǎn)
導(dǎo)體(如銅、鋁等金屬)具有良好的導(dǎo)電性，是因?yàn)樗鼈儍?nèi)部有大量的自由電子，這些自由電子可以在電場作用下自由移動，從而形成電流。絕緣體(如橡膠、陶瓷等)內(nèi)部幾乎沒有自由移動的電荷，所以很難導(dǎo)電。
半導(dǎo)體在純凈的狀態(tài)下，導(dǎo)電性能較差。這是因?yàn)榘雽?dǎo)體材料(如硅、鍺等)內(nèi)部的價(jià)電子(最外層電子)被原子核束縛得比較緊，不能像導(dǎo)體中的自由電子那樣自由移動。不過，在一定條件下，半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力會發(fā)生顯著變化。
對溫度、光照等因素的敏感性
溫度對半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能影響很大。當(dāng)溫度升高時，半導(dǎo)體材料內(nèi)部的價(jià)電子獲得足夠的能量，能夠擺脫原子核的束縛，變成自由電子，同時產(chǎn)生空穴(空穴可以看作是帶正電的粒子)。這些自由電子和空穴的數(shù)量增加，使得半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力增強(qiáng)。例如，純凈的硅在室溫下導(dǎo)電性較差，但當(dāng)溫度升高到一定程度后，它的導(dǎo)電性能會明顯提升。
光照也會影響半導(dǎo)體的導(dǎo)電性。某些半導(dǎo)體材料在光照時，光子的能量可以使價(jià)電子躍遷到導(dǎo)帶(電子能夠自由移動的能帶)，從而產(chǎn)生更多的自由電子和空穴，增加導(dǎo)電性。這種特性使得半導(dǎo)體可以用于制造光敏元件，如光敏電阻。光敏電阻在光照強(qiáng)度增加時，電阻值會減小，從而改變電路中的電流。
摻雜特性
半導(dǎo)體可以通過摻雜來改變其導(dǎo)電性能。摻雜是指在純凈的半導(dǎo)體材料中摻入少量的雜質(zhì)原子。例如，在硅中摻入五價(jià)元素(如磷)，磷原子會取代硅原子的位置，由于磷原子比硅原子多一個價(jià)電子，這個多余的電子很容易成為自由電子，從而使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性增強(qiáng)，這種摻雜后的半導(dǎo)體稱為N型半導(dǎo)體。
相反，如果在硅中摻入三價(jià)元素(如硼)，硼原子會取代硅原子的位置，由于硼原子比硅原子少一個價(jià)電子，會形成一個空穴，當(dāng)周圍的價(jià)電子填補(bǔ)這個空穴時，又會產(chǎn)生新的空穴，這些空穴可以移動，使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性增強(qiáng)，這種摻雜后的半導(dǎo)體稱為P型半導(dǎo)體。通過這種摻雜方式，可以制造出具有不同電學(xué)特性的半導(dǎo)體器件，如二極管、三極管等。
二、應(yīng)用領(lǐng)域
電子器件制造
半導(dǎo)體是制造集成電路(IC)的關(guān)鍵材料。集成電路是現(xiàn)代電子設(shè)備的核心部件，它將大量的晶體管、電阻、電容等電子元件集成在一塊小小的半導(dǎo)體芯片上。例如，計(jì)算機(jī)的CPU(中央處理器)就是一種高度復(fù)雜的集成電路，它包含了數(shù)十億個晶體管，這些晶體管都是基于半導(dǎo)體材料制造的。晶體管是一種半導(dǎo)體器件，它具有放大、開關(guān)等功能，是電子電路中不的可的或的缺的元件。
二極管也是一種常見的半導(dǎo)體器件。它具有單向?qū)щ娦裕措娏髦荒軓囊粋€方向通過，這種特性在整流電路(將交流電轉(zhuǎn)換為直流電)中非常重要。在電源適配器中，二極管就起到整流的作用，將交流市電轉(zhuǎn)換為直流電，為電子設(shè)備供電。
通信領(lǐng)域
在通信設(shè)備中，半導(dǎo)體激光器和半導(dǎo)體光探測器是重要的光通信器件。半導(dǎo)體激光器可以將電信號轉(zhuǎn)換為光信號，用于光纖通信。光纖通信具有容量大、傳輸距離遠(yuǎn)、抗干擾能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，是現(xiàn)代通信網(wǎng)絡(luò)的骨干。半導(dǎo)體光探測器則可以將光信號轉(zhuǎn)換為電信號，實(shí)現(xiàn)光信號的接收。
新能源領(lǐng)域
半導(dǎo)體材料是太陽能電池的主要組成部分。太陽能電池利用半導(dǎo)體的光電效應(yīng)，將太陽光能轉(zhuǎn)化為電能。當(dāng)太陽光照射到太陽能電池的半導(dǎo)體材料(通常是硅基材料)上時，光子的能量使半導(dǎo)體中的電子 - 空穴對產(chǎn)生分離，形成電流。太陽能電池廣泛應(yīng)用于分布式光伏發(fā)電系統(tǒng)，為家庭、商業(yè)建筑等提供清潔能源。
更新時間：2025-05-08 
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